FQP17P10
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Anschlüsse, Verbindungen
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi FQP17P10
| Artikelnummer: | FQP17P10 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.56 |
| 10+ | $1.405 |
| 100+ | $1.1294 |
| 500+ | $0.9279 |
| 1000+ | $0.7688 |
| 2000+ | $0.7158 |
| 5000+ | $0.6893 |
| 10000+ | $0.6653 |
»
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
onsemi FQP17P10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP17P10.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.25A, 10V Verlustleistung (max) 100W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.5A (Tc) Grundproduktnummer FQP17 FQP17P10 Einzelheiten PDF [English] FQP17P10 PDF - EN.pdf -
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